دیتاشیت IPP041N12N3 G

IPP041N12N3 G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IPP041N12N3 G
حجم فایل 69.479 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

دانلود دیتاشیت IPP041N12N3 G

IPP041N12N3 G Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IPP041N12N3 G
  • Power Dissipation (Pd): 300W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 120V
  • Continuous Drain Current (Id): 120A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@270uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 4.1mΩ@10V,100A
  • Package: TO-220
  • Manufacturer: Infineon Technologies

دیتاشیت محصولات مشابه